English
| 正體中文 |
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 1365/1366 (100%)
造訪人次 : 1349187 線上人數 : 195
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部MUSTIR
人文與設計學院
半導體學院
圖書館
工學院
教學發展
服務產業學院
民生學院
管理學院
查詢小技巧:
您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
進階搜尋
主頁
‧
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於MUSTIR
‧
管理
Minghsin University Institutional Repository
>
作者相關文件
資料載入中.....
類別瀏覽
正在載入社群分類, 請稍候....
年代瀏覽
正在載入年代分類, 請稍候....
"王木俊"的相關文件
回到依作者瀏覽
顯示 10 項.
類別
日期
題名
作者
檔案
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2021-10
在不同氮化製程下奈米HK pMOSFET之閘極介電質均勻性分析研究
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2020-10
AI 技術應用於傳產製鞋業價值提升
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2019-10-31
奈米 MOSFET 與 FinFET 閘極介電層之恢復性研究
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2018-10-30
SOI 晶片上之 n 型奈米鰭式電晶體其 GCIP 模型特性研究
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2017-10
奈米鰭式電晶體閘極介電物質成長後之漏電流品質驗證
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2016-10
n 型鰭式電晶體之爾利效應與閘極電壓並溫度效應相依性
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2014-10-31
28 奈米氧化鉿/氧化鋯/氧化鉿閘極介電物質使用去耦合氮化電漿製程後之元件熱載子可靠性研究
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2013-12-31
藉由TCAD 模擬軟體輔助以探究奈米等級接觸蝕刻停止層
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2012-12
45 奈米等級矽應變與矽鍺通道元件之電特性與可靠度研究
王木俊
[電子工程系] 校內專題研究計畫
2011-12
N型多晶矽薄膜電晶體在綠光雷射退火與活化後之C-V 特性與可靠性研究
王木俊
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
回饋