English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 1365/1366 (100%)
造訪人次 : 1332331      線上人數 : 755
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧：
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號"，以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋，建議至進階搜尋限定作者欄位，可獲得較完整資料
    •  進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://120.105.36.38/ir/handle/987654321/150


    題名: 三族氮化物太陽能電池研究
    作者: 陳炳茂
    貢獻者: 光電系統工程系
    關鍵詞: 三族氮化物、太陽能、多接面、金屬有機化學氣相沈積、掃描式電子顯微鏡、X-ray繞射
    日期: 2008-12
    上傳時間: 2010-03-23 16:54:39 (UTC+8)
    摘要: 三族氮化物 (Ⅲ-N, InGaN/InN) 太陽能電池具有高效率電池的效益，對未來開發多接面(Multi-junction)太陽能電池則具有可行性以及低成本的優點。本年度將三族氮化物太陽能電池加以研究，利用有機金屬化學氣相沉積 (Metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)或分子束磊晶（Molecular beam epitaxy, MBE）磊晶三族氮化物薄膜，探討各種成長條件對薄膜品質的影響，並使用掃瞄式電子顯微鏡(Scanning electron microscope, SEM) 表面和截面分析和X-ray繞射(X-ray Diffraction, XRD）用來分析不同成長條件的磊晶薄膜的結果，同時探討磊晶成長出的三族氮化物薄膜的差異性。另外亦在計畫中針對氮化銦鎵或氮化銦（InGaN/ InN）磊晶薄膜之摻雜銦（In）含量差異進行研究，其中摻雜之應力鬆弛可能導致XRD結果之半高寬過寬，相對地磊晶薄膜品質也就較差，主要原因為銦的摻雜不能均勻分佈至磊晶薄膜內。
    顯示於類別:[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    陳炳茂.pdf2400KbAdobe PDF5702檢視/開啟


    在MUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋