三族氮化物太陽能電池研究

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题名:	三族氮化物太陽能電池研究
作者:	陳炳茂
贡献者:	光電系統工程系
关键词:	三族氮化物、太陽能、多接面、金屬有機化學氣相沈積、掃描式電子顯微鏡、X-ray繞射
日期:	2008-12
上传时间:	2010-03-23 16:54:39 (UTC+8)
摘要:	三族氮化物 (Ⅲ-N, InGaN/InN) 太陽能電池具有高效率電池的效益，對未來開發多接面(Multi-junction)太陽能電池則具有可行性以及低成本的優點。本年度將三族氮化物太陽能電池加以研究，利用有機金屬化學氣相沉積 (Metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)或分子束磊晶（Molecular beam epitaxy, MBE）磊晶三族氮化物薄膜，探討各種成長條件對薄膜品質的影響，並使用掃瞄式電子顯微鏡(Scanning electron microscope, SEM) 表面和截面分析和X-ray繞射(X-ray Diffraction, XRD）用來分析不同成長條件的磊晶薄膜的結果，同時探討磊晶成長出的三族氮化物薄膜的差異性。另外亦在計畫中針對氮化銦鎵或氮化銦（InGaN/ InN）磊晶薄膜之摻雜銦（In）含量差異進行研究，其中摻雜之應力鬆弛可能導致XRD結果之半高寬過寬，相對地磊晶薄膜品質也就較差，主要原因為銦的摻雜不能均勻分佈至磊晶薄膜內。
显示于类别:	[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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