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    題名: 直流磁控濺鍍氧化銦錫回收靶材的薄膜光學及電性之研究
    作者: 江政忠
    貢獻者: 光電系統工程系
    關鍵詞: 濺鍍、ITO 靶材、透明導電薄膜、穿透率、電性、製程參數、片電阻
    日期: 2014-10-31
    上傳時間: 2015-01-07 16:05:08 (UTC+8)
    摘要: 本計畫成功地將無法濺鍍之高密度ITO 靶材回收後，經由破碎、球磨、熱壓再造，得到高密度ITO 靶材，並使用反應性直流磁控濺鍍法濺鍍此高密度ITO回收靶材與高密度商用ITO 靶材，獲得ITO 透明導電薄膜，比較分析ITO 透明導電薄膜的光學及電性特性，成功地獲得製鍍氧化銦錫回收靶材的最佳製程參數，可符合工業界之ITO薄膜品質。商用高密度ITO靶材密度為99.6%，In2O3:SnO2比例為90:10，最佳鍍膜參數為氧流量1sccm 時，薄膜有較佳之平均光學穿透率
    及片電阻分別為79.2%及24 ohm/sq。而高密度ITO 回收靶材密度為92%，最佳鍍膜參數為通氧量2sccm 可得到較佳的光學及電性特性，其平均光學穿透率及片電阻分別為78.4%及27 ohm/sq。此計畫之執行不僅培育人才，也提昇我國整體的研究能力、促進國家學術地位及工業水準。
    顯示於類別:[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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    江政忠-成果報告.pdf2367KbAdobe PDF160檢視/開啟


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