直流磁控濺鍍氧化銦錫回收靶材的薄膜光學及電性之研究

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Title:	直流磁控濺鍍氧化銦錫回收靶材的薄膜光學及電性之研究
Authors:	江政忠
Contributors:	光電系統工程系
Keywords:	濺鍍、ITO 靶材、透明導電薄膜、穿透率、電性、製程參數、片電阻
Date:	2014-10-31
Issue Date:	2015-01-07 16:05:08 (UTC+8)
Abstract:	本計畫成功地將無法濺鍍之高密度ITO 靶材回收後，經由破碎、球磨、熱壓再造，得到高密度ITO 靶材，並使用反應性直流磁控濺鍍法濺鍍此高密度ITO回收靶材與高密度商用ITO 靶材，獲得ITO 透明導電薄膜，比較分析ITO 透明導電薄膜的光學及電性特性，成功地獲得製鍍氧化銦錫回收靶材的最佳製程參數，可符合工業界之ITO薄膜品質。商用高密度ITO靶材密度為99.6%，In2O3:SnO2比例為90:10，最佳鍍膜參數為氧流量1sccm 時，薄膜有較佳之平均光學穿透率及片電阻分別為79.2%及24 ohm/sq。而高密度ITO 回收靶材密度為92%，最佳鍍膜參數為通氧量2sccm 可得到較佳的光學及電性特性，其平均光學穿透率及片電阻分別為78.4%及27 ohm/sq。此計畫之執行不僅培育人才，也提昇我國整體的研究能力、促進國家學術地位及工業水準。
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