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    題名: 添加劑對化學鍍銅層的影響
    作者: 張良濤
    貢獻者: 化學工程與材料科技系
    關鍵詞: FR-4、化學鍍、1,10-菲繞啉、添加劑、表面型態、結晶結構
    日期: 2013-12-31
    上傳時間: 2014-01-13 11:31:52 (UTC+8)
    摘要: 由於銅金屬具有較低之電阻率、應力裂縫及較好的電性可靠度，加上金屬鑲嵌
    技術之研發，近年來超大型積體電路（ULSI）之製程漸漸以銅導線來取代過去
    的鋁合金導線。利用金屬鑲嵌技術製作銅導線之關鍵在於銅金屬填入技術之開發，
    而化學析鍍銅技術為可應用於銅金屬填入之技術，近年來為發展 IC 銅導線研發之
    重點。
    本研究主要探討以FR-4 為基板以化學鍍的方式來沉積銅，化學鍍液中共同添
    加聚乙二醇及1,10-菲繞啉兩種添加劑，以掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察鍍層的表
    面型態，及X 光粉末繞射儀(XRPD)測量結晶結構、再以能量散射光譜儀(EIS)探討
    添加劑1,10-菲繞啉在不同濃度下對化學鍍反應之影響、最後用四點探針可得知添
    加劑濃度的改變對鍍層電阻的影響。
    顯示於類別:[化學工程與材料科技系] 校內專題研究計畫

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    張良濤-成果報告.pdf5102KbAdobe PDF206檢視/開啟


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