設計與模擬橋墩微米級裂縫感測之 CMOS-MEMS 微結構

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題名:	設計與模擬橋墩微米級裂縫感測之 CMOS-MEMS 微結構
作者:	蔡健忠
貢獻者:	光電系
關鍵詞:	橋墩、微米級裂縫、位移感測、CMOS-MEMS
日期:	2012-12
上傳時間:	2013-04-17 12:48:24 (UTC+8)
摘要:	本次設計之微結構是依照國家晶片系統設計中心( National Chip Implementation Center，CIC )之製程規範做為設計之準則，並採用台積電TSMC 0.35μm 2P4M COMS-MEMS 共用製程製作應用於橋墩微米級裂縫感測之CMOS-MEMS 微結構，本元件將安裝於橋墩可能產生微米級裂縫處，在橋墩遭受外力衝擊而產生微米級裂縫時，其槓桿結構會因槓桿原理而產生反向位移，使微結構之上下電極之間的重疊面積改變，因而產生了電容值的變化，藉此電容值量測微米級裂縫之寬度，再將數據轉換成電訊號，經放大電路及無線傳輸電路將警示訊號傳送出去，達到自動偵測及預警的效果。此外，為了防止微結構作動時，因所承受之外力過大而導致結構斷裂，因此在微結構中加入彈簧結構以降低元件所受到的應力。經設計，在彈簧結構之厚度為0.64 μm、彈簧線寬為 2 μm 且彈簧節數4 其彈簧係數為0.1765 時，可大幅降低受力，減低元件應力。此微米級裂縫感測微結構，可大幅提升感測橋墩微米級裂縫之性能。
顯示於類別:	[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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