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    題名: 非銦型之透明導電膜開發
    作者: 唐謙仁
    貢獻者: 光電系統工程學系
    關鍵詞: 直流磁控濺鍍、透明導電膜、氧化鋅鋁、真空退火、大氣退
    日期: 2010-12
    上傳時間: 2011-06-21 14:32:21 (UTC+8)
    摘要: 透明導電氧化物薄膜(Transparent Conducting Oxide:TCO films)具有高光學
    穿透率及高導電性，因此常用於光電裝置中，如太陽能電池、平面顯示器及有機
    發光元件…等。透明導電膜最常使用的材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxide:
    ITO)，但由於銦的含量稀少，且需求量高，而造成銦的短缺，且氧化銦錫薄膜於
    電漿輔助化學氣相層積法(PECVD)之之製程中或其它含氫的電漿製程中，氧化銦
    錫薄膜會產生還原反應造成強烈的吸收，使薄膜轉變為不透明的狀態，因此新的
    透明導電氧化物薄膜料材的開發就變得非常重要；其中氧化鋅鋁
    (Aluminum-doped Zinc Oxide: AZO)具有高光學穿透率、高導電性及低材料成本
    的優勢來取代ITO，但是其AZO 的電性仍較ITO 差，差，因此有許多的文獻
    研究AZO 之製程方式，但很少有文獻討論基板加熱製程及退火處理對利用直流
    磁控濺鍍法製鍍AZO 透明導電膜的特性影響，因此本計劃將比較利用直流磁控
    法製鍍AZO 薄膜於基板加熱製程及真空退火之光學特性及電性分析。
    顯示於類別:[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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