非銦型之透明導電膜開發

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Title:	非銦型之透明導電膜開發
Authors:	唐謙仁
Contributors:	光電系統工程學系
Keywords:	直流磁控濺鍍、透明導電膜、氧化鋅鋁、真空退火、大氣退
Date:	2010-12
Issue Date:	2011-06-21 14:32:21 (UTC+8)
Abstract:	透明導電氧化物薄膜(Transparent Conducting Oxide:TCO films)具有高光學穿透率及高導電性，因此常用於光電裝置中，如太陽能電池、平面顯示器及有機發光元件…等。透明導電膜最常使用的材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxide: ITO)，但由於銦的含量稀少，且需求量高，而造成銦的短缺，且氧化銦錫薄膜於電漿輔助化學氣相層積法(PECVD)之之製程中或其它含氫的電漿製程中，氧化銦錫薄膜會產生還原反應造成強烈的吸收，使薄膜轉變為不透明的狀態，因此新的透明導電氧化物薄膜料材的開發就變得非常重要；其中氧化鋅鋁 (Aluminum-doped Zinc Oxide: AZO)具有高光學穿透率、高導電性及低材料成本的優勢來取代ITO，但是其AZO 的電性仍較ITO 差，差，因此有許多的文獻研究AZO 之製程方式，但很少有文獻討論基板加熱製程及退火處理對利用直流磁控濺鍍法製鍍AZO 透明導電膜的特性影響，因此本計劃將比較利用直流磁控法製鍍AZO 薄膜於基板加熱製程及真空退火之光學特性及電性分析。
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