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VSe2/Co薄膜的多磁介面特性研究
半導體科技?究與智慧機電技術開發-具穿越障礙及羽毛球棒球自動投射機器人...
使用不同基板與閘極結構製作具有較佳射頻氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶...
具投籃及保齡球裝置之競賽機器人開發與研製
硒化釩薄膜的氧化特性研究
多磊晶層結構與深埋屏蔽摻雜結構對於 分離式閘極功率電晶體垂直電場交互影...
具循跡避障及字元辨識競賽機器人開發與研製
使用堆疊磊晶層與屏蔽摻雜於分離式閘極結構功率金氧半 場效電晶體之最佳化...
在不同氮化製程下奈米HK pMOSFET之閘極介電質均勻性分析研究
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作者
2024-10-31
使用不同基板與閘極結構製作具有較佳射頻氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體電性之研究
陳啟文
2024-10-31
半導體科技?究與智慧機電技術開發-具穿越障礙及羽毛球棒球自動投射機器人之開發與研製
顔培仁
2024-10-31
VSe2/Co薄膜的多磁介面特性研究
張丞勛
2023-10-31
多磊晶層結構與深埋屏蔽摻雜結構對於 分離式閘極功率電晶體垂直電場交互影響之研究
陳啟文
2023-10-31
硒化釩薄膜的氧化特性研究
張丞勛
2023-10-31
具投籃及保齡球裝置之競賽機器人開發與研製
顏培仁
2022-10
使用堆疊磊晶層與屏蔽摻雜於分離式閘極結構功率金氧半 場效電晶體之最佳化設計
陳啟文
2022-10
具循跡避障及字元辨識競賽機器人開發與研製
顏培仁
2021-10
以導電場板改善氮化鎵高功率元件之BFOM優質之研究
顏培仁
2021-10
VSe2二維磁性材料製成開發
張丞勛
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