絕緣閘雙極電晶體IGBT之模擬分析設計與產業分析(I)

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題名:	絕緣閘雙極電晶體IGBT之模擬分析設計與產業分析(I)
作者:	顧鴻壽
貢獻者:	電子工程系
關鍵詞:	絕緣閘雙極電晶體、電路設計、電路布局、電路模擬分析、IGBT 模組、產業分析
日期:	2019-10-31
上傳時間:	2020-01-10 09:44:35 (UTC+8)
摘要:	本專題研究將以低電壓低電流的低功率型的絕緣閘雙極電晶體(Insulating Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件及其模組，進行一系列在電路設計(Circuit Design)、電路及其電特性模擬可靠性分析以及相關產業專利的分析。本專題研究將進行第一階段的研究方向，並進一步地探討兩種不同類別的 TCAD 電路模擬軟體，一種是台灣新思科技股份有限公司(Synopsys)，另一種的電路模擬軟體是台灣思發科技股份有限公司(Silvaco)，其電路的設計(Circuit Design)及佈局架構(Layout Architecture)是有所差異性的。台灣新思科技股份有限公司(Synopsys)以及台灣思發科技股份有限公司(Silvaco)均是世界知名的電子設計自動化(EDA)軟體供應商，並在國家晶片系統設計中心(CIC)的研究平台資源可供科技大學申請使用。第一階段的研究以大於1.0KV 以及大於500A 的低電壓低電流的低功率型的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件為目標，使用 Synopsys 以及Silvaco 兩家公司的TCAD 電路模擬軟體作為工具來進行模擬與比較。此外，使用 MTrends/WEBPAT 的專利檢索暨分析管理平台等工具，來進行絕緣閘雙極電晶體元件專利智慧財產權及其關聯性產業分析。
顯示於類別:	[電子工程系] 校內專題研究計畫

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