絕緣閘雙極電晶體IGBT之模擬分析設計與產業分析(I)

Minghsin University Institutional Repository > 工學院 > 電子工程系 > 校內專題研究計畫 > Item 987654321/1323

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://120.105.36.38/ir/handle/987654321/1323

题名:	絕緣閘雙極電晶體IGBT之模擬分析設計與產業分析(I)
作者:	顧鴻壽
贡献者:	電子工程系
关键词:	絕緣閘雙極電晶體、電路設計、電路布局、電路模擬分析、IGBT 模組、產業分析
日期:	2019-10-31
上传时间:	2020-01-10 09:44:35 (UTC+8)
摘要:	本專題研究將以低電壓低電流的低功率型的絕緣閘雙極電晶體(Insulating Gate Bipolar Transistor, IGBT)元件及其模組，進行一系列在電路設計(Circuit Design)、電路及其電特性模擬可靠性分析以及相關產業專利的分析。本專題研究將進行第一階段的研究方向，並進一步地探討兩種不同類別的 TCAD 電路模擬軟體，一種是台灣新思科技股份有限公司(Synopsys)，另一種的電路模擬軟體是台灣思發科技股份有限公司(Silvaco)，其電路的設計(Circuit Design)及佈局架構(Layout Architecture)是有所差異性的。台灣新思科技股份有限公司(Synopsys)以及台灣思發科技股份有限公司(Silvaco)均是世界知名的電子設計自動化(EDA)軟體供應商，並在國家晶片系統設計中心(CIC)的研究平台資源可供科技大學申請使用。第一階段的研究以大於1.0KV 以及大於500A 的低電壓低電流的低功率型的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件為目標，使用 Synopsys 以及Silvaco 兩家公司的TCAD 電路模擬軟體作為工具來進行模擬與比較。此外，使用 MTrends/WEBPAT 的專利檢索暨分析管理平台等工具，來進行絕緣閘雙極電晶體元件專利智慧財產權及其關聯性產業分析。
显示于类别:	[電子工程系] 校內專題研究計畫

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
顧鴻壽-成果.pdf		2332Kb	Adobe PDF	545	检视/开启

检视Licence

在MUSTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

数据加载中.....