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    題名: 原子層沉積設備沉積奈米氧化物薄膜研究
    作者: 陳炳茂
    貢獻者: 光電系
    關鍵詞: 原子層化學氣相沉積系統(Atomic Layer Deposition, ALD)、Al2O3 薄膜
    日期: 2017-10
    上傳時間: 2017-12-29 15:37:32 (UTC+8)
    摘要: 傳統的沉積技術,如:物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)和化學
    氣象沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD),無法滿足高品質奈米薄膜成膜需
    求,因此在本研究中利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)系統特有的
    自我限制原子層生長及極佳的階梯覆蓋率、均勻性、低雜質和較低的沉積溫度等
    優點,比起傳統的沉積技術更具優勢,其系統能夠精準的控制長出奈米級的薄膜。
    本研究主要探討以ALD 技術,於低溫(< 300°C)的環境下,製成氧化鋁(Al2O3)
    薄膜。也利用ALD 特有的優點外,並使用不同的試片前處理方式來探討試片前
    處理的方法對Al2O3 薄膜的特性影響。實驗中發現,新的鹼性離子水比起傳統清
    洗製程上有著較低的危險性,也發現使用鹼性離子水作為前處理的試片,除了有
    著較好的表面粗糙度外亦可降低成膜溫度。
    顯示於類別:[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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    陳炳茂 成果報告.pdf3300KbAdobe PDF1檢視/開啟


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