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--校內專題研究計畫
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Item 987654321/1191
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http://120.105.36.38/ir/handle/987654321/1191
題名:
原子層沉積設備沉積奈米氧化物薄膜研究
作者:
陳炳茂
貢獻者:
光電系
關鍵詞:
原子層化學氣相沉積系統(Atomic Layer Deposition, ALD)、Al2O3 薄膜
日期:
2017-10
上傳時間:
2017-12-29 15:37:32 (UTC+8)
摘要:
傳統的沉積技術,如:物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)和化學
氣象沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD),無法滿足高品質奈米薄膜成膜需
求,因此在本研究中利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)系統特有的
自我限制原子層生長及極佳的階梯覆蓋率、均勻性、低雜質和較低的沉積溫度等
優點,比起傳統的沉積技術更具優勢,其系統能夠精準的控制長出奈米級的薄膜。
本研究主要探討以ALD 技術,於低溫(< 300°C)的環境下,製成氧化鋁(Al2O3)
薄膜。也利用ALD 特有的優點外,並使用不同的試片前處理方式來探討試片前
處理的方法對Al2O3 薄膜的特性影響。實驗中發現,新的鹼性離子水比起傳統清
洗製程上有著較低的危險性,也發現使用鹼性離子水作為前處理的試片,除了有
著較好的表面粗糙度外亦可降低成膜溫度。
顯示於類別:
[光電系統工程系] 校內專題研究計畫
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陳炳茂 成果報告.pdf
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