原子層沉積設備沉積奈米氧化物薄膜研究

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Title:	原子層沉積設備沉積奈米氧化物薄膜研究
Authors:	陳炳茂
Contributors:	光電系
Keywords:	原子層化學氣相沉積系統(Atomic Layer Deposition, ALD)、Al2O3 薄膜
Date:	2017-10
Issue Date:	2017-12-29 15:37:32 (UTC+8)
Abstract:	傳統的沉積技術，如：物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)和化學氣象沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)，無法滿足高品質奈米薄膜成膜需求，因此在本研究中利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)系統特有的自我限制原子層生長及極佳的階梯覆蓋率、均勻性、低雜質和較低的沉積溫度等優點，比起傳統的沉積技術更具優勢，其系統能夠精準的控制長出奈米級的薄膜。本研究主要探討以ALD 技術，於低溫(< 300°C)的環境下，製成氧化鋁(Al2O3) 薄膜。也利用ALD 特有的優點外，並使用不同的試片前處理方式來探討試片前處理的方法對Al2O3 薄膜的特性影響。實驗中發現，新的鹼性離子水比起傳統清洗製程上有著較低的危險性，也發現使用鹼性離子水作為前處理的試片，除了有著較好的表面粗糙度外亦可降低成膜溫度。
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