氧化鉬摻雜比例對鋅薄膜物性的影響研究和探討

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題名:	氧化鉬摻雜比例對鋅薄膜物性的影響研究和探討
作者:	顧鴻壽
貢獻者:	光電工程系
關鍵詞:	摻雜三氧化鉬的鋅、脈衝式雷射沉積法透明導電膜載子濃度
日期:	2015-10
上傳時間:	2016-01-13 11:06:34 (UTC+8)
摘要:	鉬摻雜至氧化鋅透明導電膜製備在不同基板溫度下，利用脈衝雷射沉積法製備，探討基板溫度對結構、電學、光學、發光特性的影響。XRD顯示，鉬摻雜氧化鋅薄膜結晶為六邊纖鋅礦結構在(002)面上有優先取向，隨著基板溫度上升，薄膜電阻率先呈現下降之後上升，在基板溫度為300°C時薄膜有最低的電阻率3.17 x 10-3 Ω cm，載子遷移率為7.50 cm2．V−1．S -1，最高的載子濃度2.62 x 1020 cm-3。所有的薄膜在可見光區都有超過82%的高透光率，光激發螢光光譜儀 (PL) 圖譜顯示出近能帶的發光。
顯示於類別:	[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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明新科技大學___校內專題研究計畫成果報告MUST-光電-1.pdf		1996Kb	Adobe PDF	70	檢視/開啟

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