Minghsin University Institutional Repository:Item 987654321/529
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 1365/1366 (100%)
造访人次 : 1333368      在线人数 : 841
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://120.105.36.38/ir/handle/987654321/529


    题名: 微晶矽薄膜太陽能電池研究
    作者: 陳炳茂
    贡献者: 光電系統工程系
    关键词: 矽薄膜太陽能電池、微晶矽、熱絲化學氣相沉積法、掃瞄式電子
    日期: 2010-12
    上传时间: 2011-06-21 14:29:30 (UTC+8)
    摘要: 矽薄膜太陽能電池具有較高的實用效益,且對未來開發較高效率太陽能
    電池亦具有可行性以、低成本及建築結合應用(Building-integrated photovoltaic,
    BIPV)的優點。本計畫將針對微晶矽(Microcrystalline Si, μc-Si) 薄膜太陽能電池
    加以研究,以可沉積具有元件級的品質與高沉積速率及大面積發展的優點的熱絲
    化學氣相沉積系統(Hot-wire chemical vapor deposition, HWCVD)沉積微晶矽薄
    膜,如此將能改善非晶矽(amorphous Si, a-Si)薄膜於吸收光之光劣化現象(即
    所謂Staebler-Wronski effect (SW))。在此計畫中探討各種成長條件對薄膜品質
    的影響,藉由調整製程時矽甲烷(SiH4)和氫(H2)流量混合比例、製程壓力及燈絲
    溫度及基板溫度,使沉積之矽薄膜可由非晶矽狀態轉變為微晶矽,而獲得元件
    級的P、I及N各層薄膜,並使用掃瞄式電子顯微鏡(Scanning electron microscope,
    SEM) 表面、截面分析和X-ray繞射(X-ray Diffraction, XRD)等分析探討,以找
    出最佳的薄膜成長條件。並運用此P、I及N各膜層製作微晶矽薄膜太陽能電池,
    使用太陽能光模擬器(Simulator)量測發電轉換效率,期望藉以微晶矽改善非晶
    矽薄膜運用於太陽能電池內部層會發生的光劣化現象,以提高薄膜太陽能電池
    的效率。期望藉此計畫能提供一種具有低成本且高效率薄膜太陽能電池的技
    術。
    显示于类别:[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

    文件中的档案:

    档案 描述 大小格式浏览次数
    27光電系-陳炳茂1.pdf4123KbAdobe PDF771检视/开启


    在MUSTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.


    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈