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    題名: CMOS高Q值主動電感器完成WiMAX多頻帶低雜訊放大器的研究
    作者: 楊鎮澤
    貢獻者: 電子工程系
    關鍵詞: CMOS、高Q 值主動電感器、WiMAX、低雜訊放大器、多頻帶
    日期: 2009-09-30
    上傳時間: 2010-08-23 14:32:34 (UTC+8)
    摘要: 本研究計畫針對CMOS 高Q 值主動電感器完成WiMAX 多頻帶低雜訊放大器（Multi-Band
    Low Noise Amplifier）的設計研究。應用主動電感器所具有的優點，如小的晶片面積、高
    的Q 值及電感特性容易藉由外部偏壓調整等，以期能完成操作於GHz 頻率範圍、同時具有
    多個頻帶選擇（如2.3 GHz ~ 2.9GHz、 3.3 GHz ~ 3.7GHz 與5.1 GHz ~ 5.9GHz 等頻帶）
    且能得到最佳特性之低雜訊放大器積體電路製作。於本計劃中將進行：(1)設計、模擬實現
    工作於GHz 頻率範圍之高Q 值CMOS 主動電感器電路。(2)將所設計完成之主動電感器電路
    應用於WiMAX 多頻帶低雜訊放大器。(3)分析此低雜訊放大器於各個頻帶操作的相關特性規
    格。(4)最後完成此多頻帶低雜訊放大器的晶片製作與量測。
    於研究計劃中使用CMOS 0.18um 的製程技術研製出操作於GHz 頻率範圍、同時具有多
    個頻帶選擇（如2.3 GHz ~2.9GHz、 3.3 GHz -3.7GHz 與5.1 GHz -5.9GHz 等頻帶）得到
    最佳特性之低雜訊放大器積體電路，而能改善使用被動式電感器製作上的缺點。同時此低
    雜訊放大器能達到應用於行動WiMAX 之規格，如操作頻率於2.3 GHz ~2.9GHz、 3.3 GHz
    -3.7GHz 與5.1 GHz -5.9GHz 頻帶、增益(G)大於30dB、雜訊指數(NF)小於2dB、IIP3 大於
    -6dBm、1dB 壓縮(P 1dB)大於-5dBm、功率消耗小於6mW、晶片面積小於0.4 mm2 等特性。
    更期望未來能將此低雜訊放大器電路整合所有的其他射頻電路中，使能完成WiMAX 多頻帶
    的之前端(Front-End)系統，以提高系統的特性且製作的良率提高，達到降低設計與製作上
    的成本，最終再與基頻(Base-Band)部份作整合達到行動WiMAX 系統於單一晶片內（SOC）
    的目標。
    顯示於類別:[電子工程系] 校內專題研究計畫

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