奈米級金氧半場效電晶體中使用高介電質係絕緣層在不同

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题名:	奈米級金氧半場效電晶體中使用高介電質係絕緣層在不同
作者:	陳啟文
贡献者:	電子工程系所
关键词:	高介電常數閘極絕緣層、高介電常數材料/金屬閘極金氧半場效電晶體、高介電常數材料/多晶矽閘極金氧半場效電晶體。
日期:	2009-09-30
上传时间:	2010-08-23 14:30:40 (UTC+8)
摘要:	隨著為電子工程技術不斷的發展，金氧半場效電晶體的特徵尺寸將微縮至 100 奈米以下，為了增進元的特性及降低短通道效應，傳統的二氧化矽閘極氧化層的厚度必須降低至20A 以下。然而過薄的二氧化矽將會於電子電洞穿隧電流的增加，而引發高的漏電流，因而增加能量的消耗以及影響電路的運作。閘極氧化層 (二氧化矽)材料以不能滿足技術發展的需求。因此必須尋求一種新型的高介質材料來取代二氧化矽。傳統的P 型多晶矽閘極電極也隨著尺寸的降低而有空乏效應以及硼穿透的現象發生，因而降低了整體電容值以及氧化層的可靠度。為了克服超薄氧化層及多晶矽閘極帶來的問題，必須使用高介電常數材料及金屬閘極材料來延續縮小元件尺寸的趨勢。在我們的研究計劃裡，主要可分為下列這些主題：(1) 不同的介面層(Interfacial layer)製程條件對High-k layer 的效應。(2) 不同的介面層(Interfacial layer)材料對High-k layer 的效應。(3) 金屬閘極與多晶矽閘極對High-k layer 的效應。(4) 不同金屬閘極對High-k layer 的效應。
显示于类别:	[電子工程系] 校內專題研究計畫

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