介面活性劑添加對矽晶圓Texture Etching 酸性蝕刻製程影響

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題名:	介面活性劑添加對矽晶圓Texture Etching 酸性蝕刻製程影響
作者:	蔡健忠
貢獻者:	光電系
關鍵詞:	太陽電池, 多晶矽, 酸蝕紋路, 反射率
日期:	2009-09-30
上傳時間:	2010-08-23 13:25:01 (UTC+8)
摘要:	多晶矽晶圓之表面紋路蝕刻（Texture Etching）製程為太陽能電池前段製程中之重要反應步驟，酸性蝕刻液對於晶圓表面之蝕刻除了可以消除晶圓在切削及研磨過程中的Saw Damage 外，更可將晶圓表面蝕刻成一非均勻之平面，降低陽光在光滑晶圓表面的反射，提高了太陽能電池之效率。在傳統的酸蝕刻製程中，由於HF 之表面張力較高，與矽晶圓之接觸潤濕性不佳，常會發生蝕刻不均或過度蝕刻的現象。造成晶圓表面之缺陷過多，提高了後製程晶圓破片的機率造成良率下降。本實驗利用在酸性蝕刻液中添加介面活性劑的方式，嘗試降低HF 之表面張力，營造酸性蝕刻液與晶圓表面更好的接觸效果。並期望利用不同蝕刻液濃度的調整，提高晶圓表面的粗糙程度，降低晶圓反射率。本實驗預計利用不同酸液及介面活性劑濃度的調整，以含浸時間及溫度為製程參數進行研究，蝕刻完成之樣品以電子顯微鏡觀察其表面型態的變化，並由自行設計之光學系統進行反射率的量測與分析。
顯示於類別:	[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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