VSe2/Co薄膜的多磁介面特性研究

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題名:	VSe2/Co薄膜的多磁介面特性研究
作者:	張丞勛
貢獻者:	電子工程系
關鍵詞:	磁記憶體、磁感應器
日期:	2024-10-31
上傳時間:	2024-11-14 16:32:06 (UTC+8)
摘要:	近年來對於電磁控制元件如磁記憶體、磁感應電晶體或量子電腦等進階應用需求持續精進。磁記憶體的低功耗及持久性，使其在許多應用上擁有極高靈活性，如穿戴式設備、括邊際運算和AI機器學習的儲存技術等應用。由於傳統的磁記憶體晶片在強磁場中運作時，帶來了許多不可預期的問題。三星、台積電、英特爾、GlobalFoundries等都持續投入開發磁記憶體技術。其中二維磁材料領域的發表還尚在起步，因此對二維磁材料的特性研究具有不錯的新穎性，本計畫以居禮溫度高於室溫的VSe2作為研究目標，研討傳統的鈷磁性金屬原子與VSe2介面的交互作用，由於Se如同O一樣是屬於高活性的元素，因此在VSe2/Co的介面處將有顯著的介面異向能變化，而影響到兩個磁性薄膜間的磁化過程。並且由於Co金屬受到Se介面產生的擴散情形，將有CoSe化合物生成的可能性，此時的化合物通常為無磁性或反鐵磁性，將會在薄膜內產生釘札、磁域縮小及磁壁增加等特性，導致矯頑力大幅提升並影響磁化強度。藉由了解二維鐵磁薄膜獨特的磁性物理機制與特性，對於進階自旋及電子傳輸等元件特性的基礎研究，將可以有助於垂直磁紀錄、磁記憶體及磁感應器等重要元件之開發與應用。
顯示於類別:	[電子工程系] 校內專題研究計畫

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