使用不同基板與閘極結構製作具有較佳射頻氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體電性之研究

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Title:	使用不同基板與閘極結構製作具有較佳射頻氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體電性之研究
Authors:	陳啟文
Contributors:	電子工程系
Keywords:	電晶體
Date:	2024-10-31
Issue Date:	2024-11-14 16:26:09 (UTC+8)
Abstract:	III-V材料與相關元件提供了適切的應對方法。高電子移動率電晶體（High electron mobility transistor, HEMT），也稱調變摻雜場效電晶體（modulation-doped FET, MODFET），它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質接面，為載子提供通道。砷化鎵、砷鎵鋁三元化合物半導體是構成這種元件的可選材料。而近年來發展的氮化鎵高電子移動率電晶體則憑藉其良好的高頻特性吸引了大量關注。高電子移動率電晶體可以在極高頻下工作，因此在行動電話、衛星電視和雷達中應用廣泛。本計劃利用矽基板和碳化矽基板兩種不同材料上，製作的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體，同時加入金屬-絕緣層-半導體(Metal-Insulator-Semiconductor, MIS)結構設計進一步分析氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體的閘極絕緣層漏電流特性進行優化，針對元件的最大飽和電流（ID,sat）、順向導通電阻（Ron）、起始電壓（Vth）、轉移電導（gm）、次臨界擺幅(Subthreshold Swing, S.S)、…等常用直流特性，找出理想控制參數以便未來應用在設計具高功率輸出的功率放大器的實務。
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