以奈米攙雜之氧化銦錫-氧化矽-氧化鉿-氧化矽-矽薄膜電晶體元件作紫外藍光劑量計研究

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Title:	以奈米攙雜之氧化銦錫-氧化矽-氧化鉿-氧化矽-矽薄膜電晶體元件作紫外藍光劑量計研究
Authors:	謝文靚
Contributors:	光電系
Keywords:	IOHOS、電晶體、UV 輻射偵測器
Date:	2021-10
Issue Date:	2021-11-11 16:07:47 (UTC+8)
Abstract:	跟傳統的偵測器比較，半導體劑量計有高靈敏度，尺寸小，重量輕和線性測量的輸出特性。但是以半導體技術製作的典型UV 輻射偵測器-金屬氧化矽半導體，被儲存的劑量數據在高溫下容易揮發。在本計畫的以奈米攙雜之氧化銦錫-氧化矽-氧化鉿-氧化矽-矽薄膜電晶體元件因UV 輻射作用而產生的電荷可被長久儲存在以奈米攙雜之IOHOS 電晶體元件內而不揮發，同時電荷也可被累積儲存在奈米攙雜IOHOS 電晶體元件內長久而不揮發。奈米攙雜IOHOS 電晶體元件內被累積儲存的電荷量與入射輻射劑量成正比。在本計畫的奈米攙雜IOHOS 電晶體元件因UV 輻射作用而產生的電荷可被長久儲存在奈米攙雜IOHOS 電晶體元件內而不揮發，同時電荷也可被累積儲存在奈米攙雜IOHOS 電晶體元件內長久而不揮發。奈米攙雜IOHOS 電晶體元件內被累積儲存的電荷量與入射輻射劑量成正比。本計畫利用熱成長與低壓化學氣相沉積成長了奈米攙雜IOHOS 電晶體元件結構;結果可看出各電晶體元件照射輻射不同劑量之後，CV 曲線明顯平移，由CV 曲線平移反推可知與劑量呈現正比關係，而表示奈米攙雜IOHOS 電晶體元件閘極介電質層的電荷數量增加改變，使奈米攙雜IONOS 電晶體元件的VT 值變大，且不同結構吸收了同劑量輻射後CV 曲線平移改變的量也不同，所以奈米攙雜IOHOS 電晶體元件可用於UV 射線劑量計且寫入UV-ray 之後的VT 改變和UV-ray 曝光的劑量是正比的關聯，因此本篇論文證明奈米攙雜IOHOS 電晶體元件可用於UV 射線劑量計的可能性
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