高頻電漿源技術升級

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题名:	高頻電漿源技術升級
作者:	沈添賜
贡献者:	電子系
关键词:	高頻電漿源技術升級
日期:	2021-10
上传时间:	2021-11-11 14:54:09 (UTC+8)
摘要:	本計畫之核心採用陳家富榮譽講座教授於2013~2016其間獲得科技部三年期開發型產學合作研究計畫補助，並成功開發VHF大面積微晶矽薄膜成長，解決過去大面積超高頻電漿穩定性及均勻性的駐波效應問題的研究成果『超高頻(60MHz)電漿源』技術，並技轉應用於薄膜製程設備，試圖取代或部分取代現有傳統射頻(PECVD)及微波(ECR)電漿源技術。透過科技部與本計畫的支持，使用超高頻(60MHz)電漿源、250 sccm CH4、輸出功率250W、製程壓力133 Pa來成長SiO2薄膜，並量測其薄膜均勻度。晶圓中心點位置到3”範圍內，量測的SiO2薄膜厚度約385 nm。到8”位置的薄膜邊緣為420 nm (與前項相比僅9%的膜厚差異)。明確的顯示在60 MHz的電漿沉積技術中成長的薄膜厚度頗為均勻(8” 晶圓整體膜厚差易< 10%)，計畫順利完成。透過此計畫成果持續精進各項薄膜的結構與電特性分析，未來將能有更多更好的國際期刊及專利產生，期望促進台灣的半導體設備、製造及研發能力，不僅能有效在地化也能順利國際化。
显示于类别:	[電子工程系] 校內專題研究計畫

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沈添賜校內專題結案報告.pdf		891Kb	Adobe PDF	1	检视/开启

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