以低甲烷流量成長高品質二維石墨烯之特性探討

MUSTIR > College of Engineering > Department of Chemical and Materials Engineering > Research Projects in School > Item 987654321/1421

Please use this identifier to cite or link to this item: http://120.105.36.38/ir/handle/987654321/1421

Title:	以低甲烷流量成長高品質二維石墨烯之特性探討
Authors:	陳密
Contributors:	化材系
Keywords:	石墨烯、轉印、化學氣相沉積、氣體
Date:	2020-10
Issue Date:	2020-11-30 10:45:09 (UTC+8)
Abstract:	石墨烯為單層碳原子以sp2形成蜂巢狀之晶體結構，是最薄與最堅硬的奈米材料，具有良好的電導性、優異的電子傳輸特性和透光性與高電子遷移率，可應用於透明觸控螢幕、光電元件、感測器、複合材料、儲氫材料等。本研究將以 Ar-H2-CH4 混合氣體，以熱化學氣相沉積法於銅箔上成長石墨烯，銅箔基板先以熱退火處理，使基板平整化，以減少銅箔基板之缺陷。藉由改變甲烷流量，以低甲烷流量成長高品質之二維石墨烯，以氯化鐵蝕刻銅箔基板，再將石墨烯轉印至目標基板上，比較轉印後石墨烯之品質與特性。研究結果顯示，以銅箔為基板，以低甲烷流量 4 sccm,，成長所得石墨烯，ID/IG 值約為 0.562，I2D/IG 值約為 1.283，缺陷少、品質最佳。本專題研究以低甲烷流量成長二維石墨烯，轉印後，可獲得高品質之石墨烯。降低甲烷流量，以達經濟性之目標。。
Appears in Collections:	[Department of Chemical and Materials Engineering] Research Projects in School

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
陳密.pdf		1742Kb	Adobe PDF	1	View/Open

View Licence