以IONOS元件作UV劑量感測器研究

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题名:	以IONOS元件作UV劑量感測器研究
作者:	謝文靚
贡献者:	光電系
关键词:	IONOS、電容、UV 輻射偵測器
日期:	2020-10
上传时间:	2020-11-30 10:15:42 (UTC+8)
摘要:	跟傳統的偵測器比較，半導體劑量計有高靈敏度，尺寸小，重量輕和線性測量的輸出特性。但是以半導體技術製作的典型 UV 輻射偵測器-金屬氧化矽半導體，被儲存的劑量數據在高溫下容易揮發。在本計畫的 IONOS 電容元件因 UV 輻射作用而產生的電荷可被長久儲存在 IONOS 電容元件內而不揮發，同時電荷也可被累積儲存在 IONOS 電容元件內長久而不揮發。IONOS 電容元件內被累積儲存的電荷量與入射輻射劑量成正比。在本計畫的IONOS型元件因UV輻射作用而產生的電荷可被長久儲存在IONOS電容元件內而不揮發，同時電荷也可被累積儲存在 IONOS 電容元件內長久而不揮發。IONOS 電容元件內被累積儲存的電荷量與入射輻射劑量成正比。本計畫利用熱成長與低壓化學氣相沉積成長了 IONOS 電容元件結構;結果可看出各電容元件照射輻射不同劑量之後，CV曲線明顯平移，由 CV 曲線平移反推可知與劑量呈現正比關係，而表示 IONOS 電容元件閘極介電質層的電荷數量增加改變，使 IONOS 電容元件的 VT值變大，且不同結構吸收了同劑量輻射後 CV 曲線平移改變的量也不同，所以 IONOS 電容元件可用於 UV 射線劑量計且寫入 UV-ray 之後的 VT改變和 UV-ray 曝光的劑量是正比的關聯，因此本篇論文證明IONOS 電容元件可用於UV 射線劑量計的可能性
显示于类别:	[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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