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    題名: 以攙氮雜質SONOS元件作UV劑量感測器研究
    作者: 謝文靚
    貢獻者: 光電系統工程系
    關鍵詞: SONOS、電容、UV 輻射偵測器
    日期: 2019-10-31
    上傳時間: 2020-01-10 11:53:32 (UTC+8)
    摘要: 跟傳統的偵測器比較，半導體劑量計有高靈敏度，尺寸小，重量輕和線性測量的輸出特性。但是以半導體技術製作的典型 UV 輻射偵測器-金屬氧化矽半導體，被儲存的劑量數據在高溫下容易揮發。在本計畫的攙 N 雜質 SONOS 電容元件因 UV 輻射作用而產生的電荷可被長久儲存在攙 N 雜質 SONOS 電容元件內而不揮發，同時電荷也可被累積儲存在攙 N 雜質SONOS 電容元件內長久而不揮發。攙 N 雜質 SONOS 電容元件內被累積儲存的電荷量與入射輻射劑量成正比。
    在本計畫的攙 N 雜質 SONOS 型元件因 UV 輻射作用而產生的電荷可被長久儲存在攙 N雜質 SONOS電容元件內而不揮發，同時電荷也可被累積儲存在攙 N 雜質 SONOS 電容元件內長久而不揮發。攙 N 雜質 SONOS 電容元件內被累積儲存的電荷量與入射輻射劑量成正比。本計畫利用熱成長與低壓化學氣相沉積成長了攙 N 雜質 SONOS 電容元件結構;結果可看出各電容元件照射輻射不同劑量之後，CV 曲線明顯平移，由 CV 曲線平移反推可知與劑量呈現正比關係，而表示攙 N 雜質 SONOS 電容元件閘極介電質層的電荷數量增加改變，使攙 N 雜質 SONOS 電容元件的 VT值變大，且不同結構吸收了同劑量輻射後 CV 曲線平移改變的量也不同，所以攙N雜質SONOS電容元件可用於UV射線劑量計且寫入UV-ray之後的 VT改變和 UV-ray 曝光的劑量是正比的關聯，因此本篇論文證明攙 N 雜質 SONOS電容元件可用於 UV 射線劑量計的可能性
    顯示於類別:[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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