攙N雜質MOHOS型元件作游離輻射劑量計之研究

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Title:	攙N雜質MOHOS型元件作游離輻射劑量計之研究
Authors:	謝文靚
Contributors:	光電系
Keywords:	SOHOS、電容、輻射偵測器
Date:	2017-10
Issue Date:	2017-12-29 15:54:49 (UTC+8)
Abstract:	跟傳統的偵測器比較，半導體劑量計有高靈敏度，尺寸小，重量輕和線性測量的輸出特性。但是以半導體技術製作的典型GAMMA 輻射偵測器-金屬氧化矽半導體，被儲存的劑量數據在高溫下容易揮發。在本計畫的攙N 雜質MOHOS 電容元件因輻射作用而產生的電荷可被長久儲存在攙N 雜質MOHOS 電容元件內而不揮發，同時電荷也可被累積儲存在攙N 雜質MOHOS 電容元件內長久而不揮發。攙N 雜質MOHOS 電容元件內被累積儲存的電荷量與入射輻射劑量成正比。在本計畫的攙N 雜質MOHOS 型元件因輻射作用而產生的電荷可被長久儲存在攙鋁雜質MOHOS 電容元件內而不揮發，同時電荷也可被累積儲存在攙N 雜質MOHOS 電容元件內長久而不揮發。攙N 雜質MOHOS 電容元件內被累積儲存的電荷量與入射輻射劑量成正比。本計畫利用熱成長與低壓化學氣相沉積成長了攙N 雜質MOHOS 電容元件結構;結果可看出各電容元件照射輻射不同劑量之後，CV 曲線明顯平移，由CV 曲線平移反推可知與劑量呈現正比關係，而表示攙N 雜質MOHOS 電容元件閘極介電質層的正缺陷電荷數量增加改變，使攙N 雜質MOHOS 電容元件的VT 值變小，且不同結構吸收了同劑量輻射後 CV 曲線平移改變的量也不同，所以攙N 雜質MOHOS 電容元件可用於γ射線劑量計且寫入 γ-ray 之後的VT 改變和γ-ray 曝光的劑量是正比的關聯，因此本篇論文證明攙N 雜質 MOHOS 電容元件可用於γ射線劑量計的可能性
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