具有低反射率之二氧化鈦透明導電薄膜

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Title:	具有低反射率之二氧化鈦透明導電薄膜
Authors:	李憶興
Contributors:	光電系
Keywords:	透明導電膜；鈮摻雜二氧化鈦；薄膜銳礦；反應性濺鍍
Date:	2017-10
Issue Date:	2017-12-29 15:43:44 (UTC+8)
Abstract:	隨著太陽能電池等的蓬勃發展，但是目前工業上所使用的透明導電膜以氧化銦錫(ITO)為主，然而由於In是稀有金屬而價格亦因液晶顯示器等的需求而高漲，已有資源枯竭之虞，因此急需積極尋求替代材料，實驗使用兩支靶材3N金屬鈦靶(Ti)與4N金屬鈮靶(Nb)之沉積功率，並改變氧氣流量進行反應性共濺鍍TNO薄膜沉積研究，透過磁控共濺鍍法沈積摻鈮之二氧化鈦(Nb doping TiO2 films, TNO)薄膜，進行400℃真空退火觀察製程，當改變氧氣流量及改變鈮功率時對於TNO薄膜光學與電性之研究；沉積功率為125W時，可見光之平均穿透率在5sccm時在未退火時穿透率到達81%，在消光係數鈦靶沉積功率125w氧氣流量5sccm接近為0，退火400℃在氧氣流量增大時會對TNO薄膜之穿透率有下降的趨勢，但TNO薄膜鈦沉積功率為125w氧氣流量上升時光穿透率有逐漸上升的趨勢，氧氣流量在5、6sccm時能明顯提升TNO薄膜穿透率；綜合研究數據得知提高氧氣流量可以使得透光率提高並使得其光學能隙提高同時其折射率隨之下降。
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