具有較佳電性之薄膜電晶體元件模擬與分析

MUSTIR > College of Engineering > Department and Institute of Electronic Engineering > Research Projects in School > Item 987654321/1186

Please use this identifier to cite or link to this item: http://120.105.36.38/ir/handle/987654321/1186

Title:	具有較佳電性之薄膜電晶體元件模擬與分析
Authors:	陳啟文
Contributors:	電子系
Keywords:	薄膜電晶體、偏移型、輕摻雜汲極、閘極重疊、扭結效應。
Date:	2017-10
Issue Date:	2017-12-29 15:01:54 (UTC+8)
Abstract:	複晶矽薄膜電晶體(Thin Film Transistor)擁有較高的電子遷移率及驅動電流，因此被廣泛的應用在液晶顯示器上。但傳統複晶矽薄膜電晶體的特性還不夠達到人們滿意的速度和驅動電流。所以提昇開電流，降低漏電流、電場強度以及扭結效應和熱載子等不理想效應，成為設計元件優先的考量。複晶矽薄膜電晶體會產生一些不理想的效應，如高電場效應(High Electric Field Effect)、漏電流效應(Leakage Current Effect)、扭結效應(Kink Effect)、熱載子效應(Hot Carrier Effect)和短通道效應(Short Channel Effect)等，這是我們需要去了解、關心的。本研究運用ISE-TCAD 模擬軟體來模擬電性分析和實驗，測試傳統型 (Conventional)、偏移型(Offset)、輕摻雜汲極型(LDD)、閘極重疊型(GOLDD)結構的濃度、能量、電場分佈與ID-VD 曲線的變化等。也運用光罩的大小了解各電場分佈、電流的比較與ID-VD 曲線的變化等。從各種不同結構複晶矽薄膜電晶體中，吾人找出兼具高電流低電場之薄膜電晶體最佳參數模組。
Appears in Collections:	[Department and Institute of Electronic Engineering] Research Projects in School

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
陳啟文成果報告.pdf		2054Kb	Adobe PDF	0	View/Open