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    題名: 高效能透明銦鎢氧化物薄膜電晶體研究
    作者: 陳炳茂
    貢獻者: 光電系統工程系
    關鍵詞: 氧化銦鎢、薄膜電晶體、氧空缺、載子移動率
    日期: 2016-10
    上傳時間: 2017-01-09 15:03:28 (UTC+8)
    摘要: 在現今的平面顯示器技術中，氧化物半導體(Oxide Semiconductor)具有高的載子
    遷移率，以及高的穿透率等特性，普遍被認為是下個世代顯示器的主流之一，但是
    目前研究提出之高效能氧化物薄膜電晶體其組成成分都含有鎵(Gallium, Ga)元素。
    在本研究中，成功開發出不含Ga 的新式非晶態氧化物半導體材料-氧化銦鎢 (Indium
    tungsten Oxide, IWO)，並成功製作出高效能氧化銦鎢薄膜電晶體(Thin Film Transistor,
    TFT)，其結構採用反交錯結構 (Staggered Structure)，藉由改變沉積薄膜時的製程參
    數與氧氣流量，以釐清含氧量對於氧化鋁鋅錫薄膜電晶體的特性影響，並且對元件
    的基本電特性、材料特性等特性進行分析與探討。在不同氧氣分壓的沉積環境底下
    對薄膜特性的影響探討，由材料分析及電性分析互相佐證發現，隨著沉積環境中的
    氧氣分壓上升，過多的氧離子導致在沉積時因離子轟擊的問題，產生過多的氧空缺
    (Oxygen Vacancy)而使元件劣化。且元件結果顯示IWO 厚度為10 nm 氧氣分壓為7%
    及退火溫度為200 ℃熱退火處理30 分鐘過後，可製造高效能的薄膜電晶體，其臨
    界電壓(Threshold Voltage)為-0.37 V，次臨界擺幅(Sub-threshold Swing)為0.61
    V/decade，且載子移動率可超過8 .9cm2/Vs。
    顯示於類別:[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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    陳炳茂-成果報告.pdf3702KbAdobe PDF19檢視/開啟


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