p型氧化鋅薄膜製作與其二極體元件特性之研究

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題名:	p型氧化鋅薄膜製作與其二極體元件特性之研究
作者:	李憶興
貢獻者:	光電系
關鍵詞:	共濺鍍氧化銦鎵鋅薄膜、透明氧化物薄膜、磁控濺鍍法
日期:	2015-10
上傳時間:	2016-02-24 11:39:24 (UTC+8)
摘要:	本研究以三支靶材In2O3、Ga2O3、Zn，分別以射頻和直流磁控共濺鍍(Co-Sputtering)系統沈積氧化銦鎵鋅(Indium-Gallium-Zinc Oxide，IGZO)薄膜於玻璃基板，藉由氧氣(O2)流量及退火溫度之製程參數變化研究共濺鍍氧化銦鎵鋅(Co-IGZO)薄膜特性之影響。隨著O2流量增加，平均光穿透率(Tavg.)急遽增加，於氧氣流量為3 sccm達到飽和約在80.02%~82.51%，而光學能隙則隨O2流量逐漸增加，於O2流量為1 sccm時，隨著退火溫度上升Tavg.從1.79%上升15.36 %；薄膜電性方面，在退火溫度200℃時，隨著O2流量增加電阻率也明顯增加，然而當退火溫度到達400℃時，其電阻率會不隨O2流量而變，且於O2流量為5 sccm時會有最高的載子遷移率，其載子濃度均隨著O2流量逐漸下降；材料分析方面，SEM(scanning electron microscopy)結果為O2流量上升，表面形貌由分散顆粒結構變成微小細緻顆粒的結構，XRD(X-ray diffraction)結果為O2流量上升時，以Zn金屬靶材進行共濺鍍IGZO薄膜晶相由ZnO晶相轉變InGaZn7O10晶相，XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)分峰結果OI比例上升原因為O2與金屬的鍵結增加，導致平均穿透率與光學能隙上升，OII的部分大幅下降，導致電阻率上升，載子濃度下降。
顯示於類別:	[光電系統工程系] 校內專題研究計畫

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